2.2 P-Well CMOS（B）

电路采用1.2μm设计规则，使用P-Well CMOS（B）制造技术。表2-2示出该电路典型元器件、制造技术及主要参数。它以 P-Well CMOS（A）制程及所制得的各种元器件为基础，并对其芯片结构和制造工艺进行改变，最终在硅衬底上形成CMOS IC中的各种元器件，并使之互连，实现所设计电路。如果制程完成后得到的各种参数都符合所设计电路的要求，则芯片功能和电气性能都能达到设计指标。

表2-2 工艺技术和芯片中主要元器件

*表中参数：SN-区结深/薄层电阻分别为X_jSN-/R_SN-，四乙氧基硅烷淀积薄膜厚度为T_TEOS，耗尽型NMOS阈值电压为U_TND，其他参数符号与表2-1相同。