1.2.1 我国第三代半导体产业的市场规模

我国第三代半导体产业在各方力量推动下，各环节都呈现出高速发展状态，衬底、外延及芯片产能加速扩张，成本持续降低，国内外主流厂商都制定了积极进取的市场策略。我国拥有第三代半导体最大的应用市场，在新能源汽车、数据中心、5G、消费电子、轨道交通、充电桩等强劲需求带动下，预计未来几年我国第三代半导体将继续保持高速增长。

据CASA Research统计，2021年我国第三代半导体产业电力电子和微波射频电子两个领域实现总产值超过125亿元，较2020年增长20.4%，如图1-3和图1-4所示。其中，SiC、GaN电力电子领域的产值规模达58亿元，同比增长29.6%，衬底材料约为3.8亿元，外延及芯片约为4.4亿元，器件及模组约为8.9亿元，装置约为40.9亿元。其中衬底环节随着产能陆续开出，增长速度最快。而GaN微波射频电子领域的产值达到69亿元，同比增长约13.5%，较前两年稍有放缓，近两年下游5G基础设施部署已经进入峰值，新部署量基本与前一年持平。其中，衬底约为9.5亿元，外延及芯片为3.7亿元，器件及模组为11.2亿元，装置约为44.6亿元。

未来五年，SiC、GaN电力电子器件市场预计将以40%的年均增速持续增长，到2026年市场规模将达500亿元，如图1-5所示。其中，在中高压领域，新能源汽车及充电基础设施应用将是最大的领域，未来几年占整体市场比重将保持在50%以上。在中压领域，工业电机、光伏逆变器等领域应用前景看好，年度增幅将超过30%。而中低压、小功率电源领域，GaN功率器件借助快充电源作为突破口，完成技术、生态和产业链的搭建，开始向其他消费电子市场进入，这个细分市场已经度过产品导入期，未来几年将进入高速成长期。

图1-3 2016—2021年我国SiC、GaN电力电子领域的产值规模（亿元）

图1-4 2016—2021年我国GaN射频电子领域的产值规模（亿元）

图1-5 2016—2026年我国SiC、GaN电力电子器件应用市场规模（亿元）